Les surcharges électriques et la chaleur excessive sont les principales causes de destruction des transistors. Le module d'alimentation IGBT avec sa diode à thyristor a été développé pour résoudre définitivement ce problème grâce à une résistance thermique jonction-boîtier extrêmement faible, garantissant une évacuation immédiate des calories vers votre dissipateur.
Les fluctuations de tension sur les lignes électriques industrielles peuvent détruire les composants fragiles. Ce module intègre des puces semi-conductrices à haute tension de blocage, capables d'absorber les pics transitoires sans claquage, sécurisant ainsi l'ensemble de votre installation en aval.
| Paramètre de protection | Seuil maximal autorisé |
|---|---|
| Tension inverse diode | 1200 V |
| Courant de surcharge (10ms) | 300 A |
| Tension d'isolation interne | 2500 V AC |
| Matériau de la semelle | Cuivre nickelé |
L'utilisation de ce module hybride vous assure une tranquillité d'esprit durable, que ce soit pour une installation neuve ou pour la mise à niveau d'un système de commande de puissance existant soumis à de lourdes contraintes environnementales.
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