Le module de puissance 2MBI75VA-170 se positionnerait comme un élément central dans la gestion de vos flux électriques industriels. Conçu pour supporter des exigences de commutation strictes, ce transistor IGBT double offre une structure optimisée pour réduire les pertes par conduction.
Grâce à son intégration en demi-pont, ce composant permet une gestion fluide du courant dans les applications d'onduleurs et de commande de moteurs.
L'utilisation de la plaque de base isolée facilite grandement la dissipation de la chaleur vers le dissipateur thermique. En réduisant la résistance thermique jonction-boîtier, le 2MBI75VA-170 évite la surchauffe des armoires de commande, ce qui prolonge la durée de vie globale de vos installations automatisées dans les lignes de production de textile ou de métallurgie.
| Caractéristique technique | Valeur nominale |
|---|---|
| Modèle exact | 2MBI75VA-170 |
| Type de boîtier | Module standard MBI |
| Tension VCES | 1700 V |
| Courant IC | 75 A |
La vérification de votre environnement a échoué. Connectez-vous pour consulter les avis.
